中文名称：砷化镓单晶位错密度的测量方法

英文名称：Gallium arsenide single crystal—Determination of dislocation density

标准号：GB/T 8760-2006

标准类型CN

发布日期：2006-7-18

实施日期：2006-11-1

摘要： 本标准适用于位错密度为0--100000个/CM 的砷化镓单晶的位错密度的测量。检验面为[111]面和[100]面。

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